Resumen de la oblea de SiC
Las obleas de carburo de silicio (SiC) se han convertido en el sustrato predilecto para la electrónica de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura en los sectores de la automoción, las energías renovables y la aeroespacial. Nuestra cartera abarca politipos y esquemas de dopaje clave: 4H dopado con nitrógeno (4H-N), semiaislante de alta pureza (HPSI), 3C dopado con nitrógeno (3C-N) y 4H/6H tipo p (4H/6H-P), disponibles en tres grados de calidad: PRIME (sustratos totalmente pulidos, aptos para dispositivos), DUMMY (lapeados o sin pulir para ensayos de proceso) y RESEARCH (capas de epi personalizadas y perfiles de dopaje para I+D). Los diámetros de las obleas abarcan 2″, 4″, 6″, 8″ y 12″, adaptándose tanto a herramientas tradicionales como a plantas de fabricación avanzadas. También suministramos bolas monocristalinas y cristales semilla orientados con precisión para favorecer el crecimiento de cristales en casa.
Nuestras obleas de 4H-N presentan densidades de portadores de 1×10¹⁶ a 1×10¹⁹ cm⁻³ y resistividades de 0,01–10 Ω·cm, lo que proporciona una excelente movilidad electrónica y campos de ruptura superiores a 2 MV/cm, ideales para diodos Schottky, MOSFET y JFET. Los sustratos HPSI superan 1×10¹² Ω·cm de resistividad con densidades de microtubos inferiores a 0,1 cm⁻², lo que garantiza una fuga mínima para dispositivos de RF y microondas. El 3C-N cúbico, disponible en formatos de 2″ y 4″, permite la heteroepitaxia en silicio y es compatible con nuevas aplicaciones fotónicas y MEMS. Las obleas 4H/6H-P de tipo P, dopadas con aluminio a 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, facilitan arquitecturas de dispositivos complementarios.
Las obleas PRIME se someten a un pulido químico-mecánico hasta alcanzar una rugosidad superficial RMS <0,2 nm, una variación total del espesor inferior a 3 µm y una curvatura <10 µm. Los sustratos DUMMY aceleran las pruebas de ensamblaje y empaquetado, mientras que las obleas RESEARCH presentan espesores de capa epi de 2 a 30 µm y dopaje a medida. Todos los productos están certificados por difracción de rayos X (curva de oscilación <30 arcsec) y espectroscopía Raman, con pruebas eléctricas (mediciones Hall, perfilado C-V y escaneo de microtubos), lo que garantiza la conformidad con JEDEC y SEMI.
Se cultivan bolas de hasta 150 mm de diámetro mediante PVT y CVD, con densidades de dislocación inferiores a 1×10³ cm⁻² y un bajo número de microtubos. Los cristales semilla se cortan a 0,1° del eje c para garantizar un crecimiento reproducible y un alto rendimiento de corte.
Al combinar múltiples politipos, variantes de dopaje, grados de calidad, tamaños de obleas y producción interna de bolas y cristales semilla, nuestra plataforma de sustrato de SiC agiliza las cadenas de suministro y acelera el desarrollo de dispositivos para vehículos eléctricos, redes inteligentes y aplicaciones en entornos hostiles.
Resumen de la oblea de SiC
Las obleas de carburo de silicio (SiC) se han convertido en el sustrato predilecto para la electrónica de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura en los sectores de la automoción, las energías renovables y la aeroespacial. Nuestra cartera abarca politipos y esquemas de dopaje clave: 4H dopado con nitrógeno (4H-N), semiaislante de alta pureza (HPSI), 3C dopado con nitrógeno (3C-N) y 4H/6H tipo p (4H/6H-P), disponibles en tres grados de calidad: PRIME (sustratos totalmente pulidos, aptos para dispositivos), DUMMY (lapeados o sin pulir para ensayos de proceso) y RESEARCH (capas de epi personalizadas y perfiles de dopaje para I+D). Los diámetros de las obleas abarcan 2″, 4″, 6″, 8″ y 12″, adaptándose tanto a herramientas tradicionales como a plantas de fabricación avanzadas. También suministramos bolas monocristalinas y cristales semilla orientados con precisión para favorecer el crecimiento de cristales en casa.
Nuestras obleas de 4H-N presentan densidades de portadores de 1×10¹⁶ a 1×10¹⁹ cm⁻³ y resistividades de 0,01–10 Ω·cm, lo que proporciona una excelente movilidad electrónica y campos de ruptura superiores a 2 MV/cm, ideales para diodos Schottky, MOSFET y JFET. Los sustratos HPSI superan 1×10¹² Ω·cm de resistividad con densidades de microtubos inferiores a 0,1 cm⁻², lo que garantiza una fuga mínima para dispositivos de RF y microondas. El 3C-N cúbico, disponible en formatos de 2″ y 4″, permite la heteroepitaxia en silicio y es compatible con nuevas aplicaciones fotónicas y MEMS. Las obleas 4H/6H-P de tipo P, dopadas con aluminio a 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, facilitan arquitecturas de dispositivos complementarios.
Las obleas PRIME se someten a un pulido químico-mecánico hasta alcanzar una rugosidad superficial RMS <0,2 nm, una variación total del espesor inferior a 3 µm y una curvatura <10 µm. Los sustratos DUMMY aceleran las pruebas de ensamblaje y empaquetado, mientras que las obleas RESEARCH presentan espesores de capa epi de 2 a 30 µm y dopaje a medida. Todos los productos están certificados por difracción de rayos X (curva de oscilación <30 arcsec) y espectroscopía Raman, con pruebas eléctricas (mediciones Hall, perfilado C-V y escaneo de microtubos), lo que garantiza la conformidad con JEDEC y SEMI.
Se cultivan bolas de hasta 150 mm de diámetro mediante PVT y CVD, con densidades de dislocación inferiores a 1×10³ cm⁻² y un bajo número de microtubos. Los cristales semilla se cortan a 0,1° del eje c para garantizar un crecimiento reproducible y un alto rendimiento de corte.
Al combinar múltiples politipos, variantes de dopaje, grados de calidad, tamaños de obleas y producción interna de bolas y cristales semilla, nuestra plataforma de sustrato de SiC agiliza las cadenas de suministro y acelera el desarrollo de dispositivos para vehículos eléctricos, redes inteligentes y aplicaciones en entornos hostiles.
Imagen de una oblea de SiC
Hoja de datos de la oblea de SiC tipo 4H-N de 6 pulgadas
| Hoja de datos de obleas de SiC de 6 pulgadas | ||||
| Parámetro | Subparámetro | Grado Z | Grado P | Grado D |
| Diámetro | 149,5–150,0 milímetros | 149,5–150,0 milímetros | 149,5–150,0 milímetros | |
| Espesor | 4H‑N | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Espesor | 4H‑SI | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Orientación de las obleas | Fuera del eje: 4,0° hacia <11-20> ±0,5° (4H-N); En el eje: <0001> ±0,5° (4H-SI) | Fuera del eje: 4,0° hacia <11-20> ±0,5° (4H-N); En el eje: <0001> ±0,5° (4H-SI) | Fuera del eje: 4,0° hacia <11-20> ±0,5° (4H-N); En el eje: <0001> ±0,5° (4H-SI) | |
| Densidad de microtubos | 4H‑N | ≤ 0,2 cm⁻² | ≤ 2 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Densidad de microtubos | 4H‑SI | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Resistividad | 4H‑N | 0,015–0,024 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm |
| Resistividad | 4H‑SI | ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm | ≥ 1×10⁵ Ω·cm | |
| Orientación plana primaria | [10-10] ± 5,0° | [10-10] ± 5,0° | [10-10] ± 5,0° | |
| Longitud plana primaria | 4H‑N | 47,5 mm ± 2,0 mm | ||
| Longitud plana primaria | 4H‑SI | Muesca | ||
| Exclusión de bordes | 3 milímetros | |||
| Urdimbre/LTV/TTV/Arco | ≤2,5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm | ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm | ||
| Aspereza | Polaco | Ra ≤ 1 nm | ||
| Aspereza | CMP | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | |
| Grietas en los bordes | Ninguno | Longitud acumulada ≤ 20 mm, única ≤ 2 mm | ||
| Placas hexagonales | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | Área acumulada ≤ 1% | |
| Áreas de politipo | Ninguno | Área acumulada ≤ 3% | Área acumulada ≤ 3% | |
| Inclusiones de carbono | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 3% | ||
| Arañazos superficiales | Ninguno | Longitud acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | ||
| Fichas de borde | No se permite ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | Hasta 7 chips, ≤ 1 mm cada uno | ||
| TSD (Dislocación del tornillo de rosca) | ≤ 500 cm⁻² | N / A | ||
| BPD (Dislocación del plano base) | ≤ 1000 cm⁻² | N / A | ||
| Contaminación de la superficie | Ninguno | |||
| Embalaje | Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea | Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea | Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea | |
Hoja de datos de la oblea de SiC tipo 4H-N de 4 pulgadas
| Hoja de datos de la oblea de SiC de 4 pulgadas | |||
| Parámetro | Producción cero de MPD | Grado de producción estándar (Grado P) | Grado ficticio (Grado D) |
| Diámetro | 99,5 mm–100,0 mm | ||
| Espesor (4H-N) | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | |
| Espesor (4H-Si) | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | |
| Orientación de las obleas | Fuera del eje: 4,0° hacia <1120> ±0,5° para 4H-N; En el eje: <0001> ±0,5° para 4H-Si | ||
| Densidad de micropipe (4H-N) | ≤0,2 cm⁻² | ≤2 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Densidad de microtubos (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Resistividad (4H-N) | 0,015–0,024 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm | |
| Resistividad (4H-Si) | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Orientación plana primaria | [10-10] ±5,0° | ||
| Longitud plana primaria | 32,5 mm ±2,0 mm | ||
| Longitud plana secundaria | 18,0 mm ±2,0 mm | ||
| Orientación plana secundaria | Cara de silicio hacia arriba: 90° CW desde el plano principal ±5,0° | ||
| Exclusión de bordes | 3 milímetros | ||
| LTV/TTV/Urdimbre de arco | ≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Aspereza | Polaco Ra ≤1 nm; CMP Ra ≤0,2 nm | Ra ≤0,5 nm | |
| Grietas en los bordes por luz de alta intensidad | Ninguno | Ninguno | Longitud acumulada ≤10 mm; longitud única ≤2 mm |
| Placas hexagonales de luz de alta intensidad | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤0,1% |
| Áreas de politipos mediante luz de alta intensidad | Ninguno | Área acumulada ≤3% | |
| Inclusiones visuales de carbono | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤3% | |
| Rayaduras en la superficie de silicio causadas por luz de alta intensidad | Ninguno | Longitud acumulada ≤1 diámetro de la oblea | |
| Chips de borde con luz de alta intensidad | No se permite ninguno ≥0,2 mm de ancho y profundidad | Se permiten 5, ≤1 mm cada uno | |
| Contaminación de la superficie de silicio por luz de alta intensidad | Ninguno | ||
| Dislocación del tornillo de rosca | ≤500 cm⁻² | N / A | |
| Embalaje | Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea | Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea | Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea |
Hoja de datos de la oblea de SiC tipo HPSI de 4 pulgadas
| Hoja de datos de la oblea de SiC tipo HPSI de 4 pulgadas | |||
| Parámetro | Grado de producción de MPD cero (grado Z) | Grado de producción estándar (Grado P) | Grado ficticio (Grado D) |
| Diámetro | 99,5–100,0 mm | ||
| Espesor (4H-Si) | 500 µm ±20 µm | 500 µm ±25 µm | |
| Orientación de las obleas | Fuera del eje: 4,0° hacia <11-20> ±0,5° para 4H-N; En el eje: <0001> ±0,5° para 4H-Si | ||
| Densidad de microtubos (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Resistividad (4H-Si) | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Orientación plana primaria | (10-10) ±5,0° | ||
| Longitud plana primaria | 32,5 mm ±2,0 mm | ||
| Longitud plana secundaria | 18,0 mm ±2,0 mm | ||
| Orientación plana secundaria | Cara de silicio hacia arriba: 90° CW desde el plano principal ±5,0° | ||
| Exclusión de bordes | 3 milímetros | ||
| LTV/TTV/Urdimbre de arco | ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Rugosidad (cara C) | Polaco | Ra ≤1 nm | |
| Rugosidad (cara Si) | CMP | Ra ≤0,2 nm | Ra ≤0,5 nm |
| Grietas en los bordes por luz de alta intensidad | Ninguno | Longitud acumulada ≤10 mm; longitud única ≤2 mm | |
| Placas hexagonales de luz de alta intensidad | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤0,1% |
| Áreas de politipos mediante luz de alta intensidad | Ninguno | Área acumulada ≤3% | |
| Inclusiones visuales de carbono | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤3% | |
| Rayaduras en la superficie de silicio causadas por luz de alta intensidad | Ninguno | Longitud acumulada ≤1 diámetro de la oblea | |
| Chips de borde con luz de alta intensidad | No se permite ninguno ≥0,2 mm de ancho y profundidad | Se permiten 5, ≤1 mm cada uno | |
| Contaminación de la superficie de silicio por luz de alta intensidad | Ninguno | Ninguno | |
| Dislocación del tornillo de rosca | ≤500 cm⁻² | N / A | |
| Embalaje | Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea | ||
Hora de publicación: 30 de junio de 2025