El día 26, Power Cube Semi anunció el desarrollo exitoso del primer semiconductor MOSFET de SiC (carburo de silicio) de 2300 V de Corea del Sur.
En comparación con los semiconductores actuales basados en silicio (Si), el carburo de silicio (SiC) soporta voltajes más altos, por lo que se le considera el dispositivo de próxima generación que liderará el futuro de los semiconductores de potencia. Constituye un componente crucial para la introducción de tecnologías de vanguardia, como la proliferación de vehículos eléctricos y la expansión de centros de datos impulsados por inteligencia artificial.
Power Cube Semi es una empresa fabless que desarrolla dispositivos semiconductores de potencia en tres categorías principales: SiC (carburo de silicio), Si (silicio) y Ga₂O₃ (óxido de galio). Recientemente, la empresa aplicó y vendió diodos Schottky de alta capacidad a una compañía global de vehículos eléctricos en China, obteniendo reconocimiento por su diseño y tecnología de semiconductores.
El lanzamiento del MOSFET de SiC de 2300 V es destacable por ser el primer desarrollo de este tipo en Corea del Sur. Infineon, empresa global de semiconductores de potencia con sede en Alemania, también anunció el lanzamiento de su producto de 2000 V en marzo, pero sin una línea de productos de 2300 V.
El MOSFET CoolSiC de 2000 V de Infineon, que utiliza el paquete TO-247PLUS-4-HCC, satisface la demanda de mayor densidad de potencia entre los diseñadores, garantizando la fiabilidad del sistema incluso en condiciones estrictas de alto voltaje y frecuencia de conmutación.
El MOSFET CoolSiC ofrece una tensión de enlace de corriente continua superior, lo que permite aumentar la potencia sin incrementar la corriente. Es el primer dispositivo discreto de carburo de silicio del mercado con una tensión de ruptura de 2000 V, que utiliza el encapsulado TO-247PLUS-4-HCC con una distancia de fuga de 14 mm y una separación de 5,4 mm. Estos dispositivos presentan bajas pérdidas de conmutación y son idóneos para aplicaciones como inversores solares de cadena, sistemas de almacenamiento de energía y carga de vehículos eléctricos.
La serie de MOSFET CoolSiC de 2000 V es ideal para sistemas de bus de CC de alto voltaje de hasta 1500 V CC. En comparación con el MOSFET SiC de 1700 V, este dispositivo ofrece un margen de sobretensión suficiente para sistemas de 1500 V CC. El MOSFET CoolSiC ofrece una tensión umbral de 4,5 V e incorpora diodos de cuerpo robustos para una conmutación dura. Gracias a la tecnología de conexión .XT, estos componentes ofrecen un excelente rendimiento térmico y una alta resistencia a la humedad.
Además del MOSFET CoolSiC de 2000 V, Infineon lanzará próximamente diodos CoolSiC complementarios en encapsulados TO-247PLUS de 4 pines y TO-247-2, en el tercer y último trimestre de 2024, respectivamente. Estos diodos son especialmente adecuados para aplicaciones solares. También se encuentran disponibles combinaciones de controladores de puerta compatibles.
La serie de MOSFET CoolSiC de 2000 V ya está disponible en el mercado. Además, Infineon ofrece placas de evaluación adecuadas: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Los desarrolladores pueden usar esta placa como una plataforma de prueba general precisa para evaluar todos los MOSFET y diodos CoolSiC con una tensión nominal de 2000 V, así como la serie de controladores de puerta de aislamiento compactos de un solo canal EiceDRIVER 1ED31xx, mediante modulación por ancho de pulsos (PWM) de doble pulso o continua.
Gung Shin-soo, director de tecnología de Power Cube Semi, declaró: "Pudimos extender nuestra experiencia existente en el desarrollo y la producción en masa de MOSFET de SiC de 1700 V a 2300 V.
Fecha de publicación: 8 de abril de 2024