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Aplicaciones de sustratos de carburo de silicio conductores y semiaislantes
El sustrato de carburo de silicio se divide en tipo semi-aislante y tipo conductor. Actualmente, la especificación más común para los productos de sustrato de carburo de silicio semi-aislante es de 4 pulgadas. En el caso del carburo de silicio conductor...Leer más -
¿Existen también diferencias en la aplicación de obleas de zafiro con diferentes orientaciones cristalinas?
El zafiro es un monocristal de alúmina, pertenece al sistema cristalino tripartito, estructura hexagonal, su estructura cristalina está compuesta por tres átomos de oxígeno y dos átomos de aluminio unidos mediante enlaces covalentes, dispuestos muy estrechamente, con una fuerte cadena de enlaces y energía reticular, mientras que su integridad cristalina...Leer más -
¿Cuál es la diferencia entre un sustrato conductor de SiC y un sustrato semiaislado?
Los dispositivos de carburo de silicio (SiC) se fabrican con carburo de silicio como materia prima. Según sus diferentes propiedades de resistencia, se dividen en dispositivos de potencia de carburo de silicio conductivos y dispositivos de radiofrecuencia (RF) de carburo de silicio semiaislados. Principales formas de los dispositivos y...Leer más -
Un artículo te convierte en un experto en TGV
¿Qué es TGV? TGV, o vía a través del vidrio, es una tecnología que crea orificios pasantes en un sustrato de vidrio. En términos sencillos, TGV es una tecnología que utiliza el vidrio para perforar, rellenar y conectar verticalmente, creando así circuitos integrados en la superficie del vidrio.Leer más -
¿Cuáles son los indicadores para la evaluación de la calidad de la superficie de las obleas?
Con el continuo desarrollo de la tecnología de semiconductores, tanto en la industria de semiconductores como en la fotovoltaica, los requisitos de calidad superficial para el sustrato de la oblea o la lámina epitaxial son muy estrictos. Entonces, ¿cuáles son los requisitos de calidad para...Leer más -
¿Cuánto sabes sobre el proceso de crecimiento de monocristales de SiC?
El carburo de silicio (SiC), como material semiconductor de banda prohibida ancha, desempeña un papel cada vez más importante en la ciencia y la tecnología modernas. El carburo de silicio posee una excelente estabilidad térmica, alta tolerancia a campos eléctricos, conductividad intencional y...Leer más -
La batalla decisiva de los sustratos de SiC nacionales
En los últimos años, con la continua penetración de aplicaciones posteriores como los vehículos de nuevas energías, la generación de energía fotovoltaica y el almacenamiento de energía, el SiC, como nuevo material semiconductor, desempeña un papel importante en estos campos. Según...Leer más -
MOSFET de SiC, 2300 voltios.
El 26, Power Cube Semi anunció el desarrollo exitoso del primer semiconductor MOSFET de SiC (carburo de silicio) de 2300 V de Corea del Sur. En comparación con los semiconductores de silicio (Si) existentes, el SiC (carburo de silicio) puede soportar voltajes más altos, por lo que se le considera una tecnología de vanguardia.Leer más -
¿Es la recuperación de los semiconductores solo una ilusión?
Entre 2021 y 2022, el mercado mundial de semiconductores experimentó un rápido crecimiento debido al surgimiento de demandas especiales derivadas del brote de COVID-19. Sin embargo, dado que estas demandas especiales causadas por la pandemia de COVID-19 finalizaron en la segunda mitad de 2022, el mercado se desplomó...Leer más -
En 2024, el gasto de capital en semiconductores disminuyó
El miércoles, el presidente Biden anunció un acuerdo para proporcionar a Intel 8.500 millones de dólares en financiación directa y 11.000 millones de dólares en préstamos en virtud de la Ley CHIPS y Ciencia. Intel utilizará estos fondos para sus fábricas de obleas en Arizona, Ohio, Nuevo México y Oregón. Como se informó en nuestro...Leer más -
¿Qué es una oblea de SiC?
Las obleas de SiC son semiconductores fabricados con carburo de silicio. Este material se desarrolló en 1893 y es ideal para diversas aplicaciones. Resulta especialmente adecuado para diodos Schottky, diodos Schottky de barrera de unión, interruptores y transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET).Leer más -
Interpretación en profundidad del semiconductor de tercera generación: el carburo de silicio
Introducción al carburo de silicio. El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor compuesto de carbono y silicio, ideal para la fabricación de dispositivos de alta temperatura, alta frecuencia, alta potencia y alto voltaje. En comparación con los materiales tradicionales...Leer más