En la actualidad, nuestra empresa puede seguir suministrando pequeños lotes de obleas de SiC tipo 8 pulgadas N. Si necesita muestras, no dude en ponerse en contacto conmigo. Tenemos algunas obleas de muestra listas para enviar.
En el campo de los materiales semiconductores, la empresa ha logrado un gran avance en la investigación y el desarrollo de cristales de SiC de gran tamaño. Al utilizar sus propios cristales semilla después de múltiples rondas de ampliación del diámetro, la compañía ha cultivado con éxito cristales de SiC tipo N de 8 pulgadas, lo que resuelve problemas difíciles como el campo de temperatura desigual, el craqueo de cristales y la distribución de materia prima en fase gaseosa en el proceso de crecimiento de Cristales SIC de 8 pulgadas y acelera el crecimiento de cristales SIC de gran tamaño y la tecnología de procesamiento autónoma y controlable. Mejorar en gran medida la competitividad central de la empresa en la industria de sustratos monocristalinos de SiC. Al mismo tiempo, la compañía promueve activamente la acumulación de tecnología y procesos de línea experimental de preparación de sustratos de carburo de silicio de gran tamaño, fortalece el intercambio técnico y la colaboración industrial en los campos upstream y downstream, y colabora con los clientes para iterar constantemente el rendimiento del producto y, en conjunto, promueve el ritmo de aplicación industrial de materiales de carburo de silicio.
| Especificaciones del DSP SiC tipo N de 8 pulgadas | |||||
| Número | Artículo | Unidad | Producción | Investigación | Ficticio |
| 1. Parámetros | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientación de la superficie | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Parámetro eléctrico | |||||
| 2.1 | dopante | -- | Nitrógeno tipo n | Nitrógeno tipo n | Nitrógeno tipo n |
| 2.2 | resistividad | ohmios·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parámetro mecánico | |||||
| 3.1 | diámetro | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | espesor | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientación de la muesca | ° | [1-100]±5 | [1-100]±5 | [1-100]±5 |
| 3.4 | Profundidad de muesca | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | TVL | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | televisión | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arco | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Urdimbre | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Estructura | |||||
| 4.1 | densidad del microtubo | unidad/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | contenido de metal | átomos/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | unidad/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | TLP | unidad/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | unidad/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Calidad positiva | |||||
| 5.1 | frente | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | acabado superficial | -- | CMP de cara Si | CMP de cara Si | CMP de cara Si |
| 5.3 | partícula | ea/oblea | ≤100(tamaño≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | rascar | ea/oblea | ≤5, longitud total≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Borde astillas/hendiduras/grietas/manchas/contaminación | -- | Ninguno | Ninguno | NA |
| 5.6 | Áreas politipo | -- | Ninguno | Área ≤10% | Área ≤30% |
| 5.7 | marcado frontal | -- | Ninguno | Ninguno | Ninguno |
| 6. Calidad de la espalda | |||||
| 6.1 | terminar atrás | -- | Cara C MP | Cara C MP | Cara C MP |
| 6.2 | rascar | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Borde de defectos posteriores chips/sangrías | -- | Ninguno | Ninguno | NA |
| 6.4 | Rugosidad de la espalda | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marcado trasero | -- | Muesca | Muesca | Muesca |
| 7. Borde | |||||
| 7.1 | borde | -- | Chaflán | Chaflán | Chaflán |
| 8. Paquete | |||||
| 8.1 | embalaje | -- | Epi-ready con vacío embalaje | Epi-ready con vacío embalaje | Epi-ready con vacío embalaje |
| 8.2 | embalaje | -- | multioblea embalaje de casete | multioblea embalaje de casete | multioblea embalaje de casete |
Hora de publicación: 18-abr-2023