Actualmente, nuestra empresa puede seguir suministrando lotes pequeños de obleas de SiC tipo N de 8 pulgadas. Si necesita muestras, no dude en contactarme. Disponemos de algunas obleas de muestra listas para su envío.
En el campo de los materiales semiconductores, la empresa ha logrado un avance significativo en la investigación y el desarrollo de cristales de SiC de gran tamaño. Mediante el uso de sus propios cristales semilla, tras múltiples ciclos de aumento de diámetro, la empresa ha cultivado con éxito cristales de SiC tipo N de 8 pulgadas. Esto resuelve problemas complejos como la distribución desigual de la temperatura, el agrietamiento de los cristales y la dispersión de la materia prima en fase gaseosa durante el proceso de crecimiento de cristales de SiC de 8 pulgadas, y acelera el crecimiento de cristales de SiC de gran tamaño, así como la implementación de una tecnología de procesamiento autónoma y controlable. Esto fortalece considerablemente la competitividad de la empresa en la industria de sustratos monocristalinos de SiC. Asimismo, la empresa promueve activamente la acumulación de tecnología y procesos para la línea experimental de preparación de sustratos de carburo de silicio de gran tamaño, fortalece el intercambio técnico y la colaboración industrial en los sectores de procesos ascendentes y descendentes, y colabora con sus clientes para mejorar continuamente el rendimiento de los productos, impulsando así la aplicación industrial de los materiales de carburo de silicio.
| Especificaciones del DSP SiC tipo N de 8 pulgadas | |||||
| Número | Artículo | Unidad | Producción | Investigación | Ficticio |
| 1. Parámetros | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientación de la superficie | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Parámetro eléctrico | |||||
| 2.1 | dopante | -- | Nitrógeno de tipo n | Nitrógeno de tipo n | Nitrógeno de tipo n |
| 2.2 | resistividad | ohmio ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parámetro mecánico | |||||
| 3.1 | diámetro | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | espesor | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientación de la muesca | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Profundidad de la muesca | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10 mm * 10 mm) | ≤5(10 mm * 10 mm) | ≤10(10 mm * 10 mm) |
| 3.6 | Televisión por satélite | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arco | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Urdimbre | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Estructura | |||||
| 4.1 | densidad de micropipes | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | contenido de metales | átomos/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Trastorno límite de la personalidad | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Calidad positiva | |||||
| 5.1 | frente | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | acabado superficial | -- | CMP de cara Si | CMP de cara Si | CMP de cara Si |
| 5.3 | partícula | cada oblea | ≤100 (tamaño ≥0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | rascar | cada oblea | ≤5, Longitud total ≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Borde astillas/hendiduras/grietas/manchas/contaminación | -- | Ninguno | Ninguno | NA |
| 5.6 | áreas de politipo | -- | Ninguno | Área ≤10% | Área ≤30% |
| 5.7 | marca frontal | -- | Ninguno | Ninguno | Ninguno |
| 6. Calidad de la espalda | |||||
| 6.1 | acabado posterior | -- | Cara C MP | Cara C MP | Cara C MP |
| 6.2 | rascar | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | bordes con defectos en la parte posterior astillas/hendiduras | -- | Ninguno | Ninguno | NA |
| 6.4 | Rugosidad de la espalda | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marcado posterior | -- | Muesca | Muesca | Muesca |
| 7. Borde | |||||
| 7.1 | borde | -- | Chaflán | Chaflán | Chaflán |
| 8. Paquete | |||||
| 8.1 | embalaje | -- | Preparado para epi con vacío embalaje | Preparado para epi con vacío embalaje | Preparado para epi con vacío embalaje |
| 8.2 | embalaje | -- | Multi-wafer embalaje de casete | Multi-wafer embalaje de casete | Multi-wafer embalaje de casete |
Fecha de publicación: 18 de abril de 2023