Actualmente, nuestra empresa puede seguir suministrando lotes pequeños de obleas de SiC de 8 pulgadas tipo N. Si necesita muestras, no dude en contactarme. Tenemos algunas obleas de muestra listas para enviar.
En el campo de los materiales semiconductores, la empresa ha logrado un gran avance en la investigación y el desarrollo de cristales de SiC de gran tamaño. Mediante el uso de sus propios cristales semilla tras múltiples rondas de ampliación de diámetro, la empresa ha desarrollado con éxito cristales de SiC tipo N de 8 pulgadas, lo que resuelve problemas complejos como el campo de temperatura irregular, el agrietamiento de los cristales y la distribución de la materia prima en fase gaseosa en el proceso de crecimiento de cristales de SiC de 8 pulgadas. Además, acelera el crecimiento de cristales de SiC de gran tamaño y la tecnología de procesamiento autónoma y controlable. Esto ha mejorado considerablemente la competitividad de la empresa en la industria de sustratos monocristalinos de SiC. Al mismo tiempo, la empresa promueve activamente la acumulación de tecnología y procesos de la línea experimental de preparación de sustratos de carburo de silicio de gran tamaño, fortalece el intercambio técnico y la colaboración industrial en los campos upstream y downstream, colabora con los clientes para iterar constantemente el rendimiento del producto e impulsa conjuntamente el ritmo de la aplicación industrial de materiales de carburo de silicio.
| Especificaciones del DSP de SiC tipo N de 8 pulgadas | |||||
| Número | Artículo | Unidad | Producción | Investigación | Ficticio |
| 1. Parámetros | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientación de la superficie | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Parámetro eléctrico | |||||
| 2.1 | dopante | -- | nitrógeno de tipo n | nitrógeno de tipo n | nitrógeno de tipo n |
| 2.2 | resistividad | ohmios ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parámetros mecánicos | |||||
| 3.1 | diámetro | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
| 3.2 | espesor | micras | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
| 3.3 | Orientación de la muesca | ° | [1-100]±5 | [1-100]±5 | [1-100]±5 |
| 3.4 | Profundidad de muesca | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | Valor de vida útil | micras | ≤5 (10 mm x 10 mm) | ≤5 (10 mm x 10 mm) | ≤10 (10 mm x 10 mm) |
| 3.6 | Televisión por cable | micras | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arco | micras | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Urdimbre | micras | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | Fuerza Aérea | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Estructura | |||||
| 4.1 | densidad de microtubos | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | contenido de metal | átomos/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | TLP | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Calidad positiva | |||||
| 5.1 | frente | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | acabado superficial | -- | CMP de cara de silicio | CMP de cara de silicio | CMP de cara de silicio |
| 5.3 | partícula | ea/oblea | ≤100 (tamaño ≥0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | rascar | ea/oblea | ≤5,Longitud total ≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Borde astillas/hendiduras/grietas/manchas/contaminación | -- | Ninguno | Ninguno | NA |
| 5.6 | Áreas de politipo | -- | Ninguno | Área ≤10% | Área ≤30% |
| 5.7 | marca frontal | -- | Ninguno | Ninguno | Ninguno |
| 6. Calidad de la espalda | |||||
| 6.1 | acabado posterior | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | rascar | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Borde posterior con defectos fichas/sangrías | -- | Ninguno | Ninguno | NA |
| 6.4 | Rugosidad de la espalda | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marcado posterior | -- | Muesca | Muesca | Muesca |
| 7. Borde | |||||
| 7.1 | borde | -- | Chaflán | Chaflán | Chaflán |
| 8. Paquete | |||||
| 8.1 | embalaje | -- | Epi-ready con vacío embalaje | Epi-ready con vacío embalaje | Epi-ready con vacío embalaje |
| 8.2 | embalaje | -- | Multi-oblea embalaje de casete | Multi-oblea embalaje de casete | Multi-oblea embalaje de casete |
Hora de publicación: 18 de abril de 2023