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Equipo de corte láser de alta precisión para obleas de SiC de 8 pulgadas: la tecnología clave para el futuro procesamiento de obleas de SiC
El carburo de silicio (SiC) no solo es una tecnología crucial para la defensa nacional, sino también un material fundamental para las industrias automotriz y energética globales. Como primer paso crucial en el procesamiento de monocristales de SiC, el corte de obleas determina directamente la calidad del adelgazamiento y pulido posteriores. Tr...Leer más -
Vidrios AR de guía de ondas de carburo de silicio de grado óptico: preparación de sustratos semiaislantes de alta pureza
En el contexto de la revolución de la IA, las gafas de RA están ganando terreno en la conciencia pública. Como paradigma que integra a la perfección el mundo virtual y el real, las gafas de RA se diferencian de los dispositivos de RV al permitir a los usuarios percibir tanto imágenes proyectadas digitalmente como la luz ambiental.Leer más -
Crecimiento heteroepitaxial de 3C-SiC sobre sustratos de silicio con diferentes orientaciones
1. Introducción A pesar de décadas de investigación, el 3C-SiC heteroepitaxial cultivado sobre sustratos de silicio aún no ha alcanzado la calidad cristalina suficiente para aplicaciones electrónicas industriales. El crecimiento se realiza típicamente sobre sustratos de Si(100) o Si(111), cada uno con sus propios desafíos: antifase d...Leer más -
Cerámica de carburo de silicio vs. carburo de silicio semiconductor: el mismo material con dos destinos distintos
El carburo de silicio (SiC) es un compuesto extraordinario presente tanto en la industria de semiconductores como en productos cerámicos avanzados. Esto suele generar confusión entre el público general, que puede confundirlos con el mismo tipo de producto. En realidad, aunque comparten la misma composición química, el SiC se manifiesta...Leer más -
Avances en las tecnologías de preparación de cerámica de carburo de silicio de alta pureza
Las cerámicas de carburo de silicio (SiC) de alta pureza se han convertido en materiales ideales para componentes críticos en las industrias de semiconductores, aeroespacial y química gracias a su excepcional conductividad térmica, estabilidad química y resistencia mecánica. Ante la creciente demanda de alto rendimiento y baja polaridad...Leer más -
Principios técnicos y procesos de las obleas epitaxiales de LED
Del principio de funcionamiento de los LED, se desprende que el material de la oblea epitaxial es el componente principal. De hecho, parámetros optoelectrónicos clave, como la longitud de onda, el brillo y la tensión directa, están determinados en gran medida por el material epitaxial. Tecnología y equipos de obleas epitaxiales...Leer más -
Consideraciones clave para la preparación de monocristales de carburo de silicio de alta calidad
Los principales métodos para la preparación de monocristales de silicio incluyen: Transporte Físico de Vapor (PVT), Crecimiento en Solución Sembrada Superior (TSSG) y Deposición Química de Vapor a Alta Temperatura (HT-CVD). Entre estos, el método PVT se adopta ampliamente en la producción industrial debido a su equipo sencillo y su facilidad de...Leer más -
Niobato de litio sobre aislante (LNOI): Impulsando el avance de los circuitos integrados fotónicos
Introducción Inspirado por el éxito de los circuitos electrónicos integrados (EIC), el campo de los circuitos integrados fotónicos (PIC) ha estado evolucionando desde su inicio en 1969. Sin embargo, a diferencia de los EIC, el desarrollo de una plataforma universal capaz de soportar diversas aplicaciones fotónicas sigue...Leer más -
Consideraciones clave para la producción de monocristales de carburo de silicio (SiC) de alta calidad
Consideraciones clave para producir monocristales de carburo de silicio (SiC) de alta calidad Los principales métodos para cultivar monocristales de carburo de silicio incluyen el transporte físico de vapor (PVT), el crecimiento en solución sembrada desde arriba (TSSG) y el transporte químico de alta temperatura...Leer más -
Tecnología de obleas epitaxiales LED de última generación: impulsando el futuro de la iluminación
Los LED iluminan nuestro mundo, y en el corazón de cada LED de alto rendimiento se encuentra la oblea epitaxial, un componente crucial que define su brillo, color y eficiencia. Al dominar la ciencia del crecimiento epitaxial,...Leer más -
¿El fin de una era? La quiebra de Wolfspeed transforma el panorama del carburo de silicio (SiC).
La quiebra de Wolfspeed marca un punto de inflexión importante para la industria de semiconductores de carburo de silicio (SiC). Wolfspeed, líder con una larga trayectoria en tecnología de carburo de silicio (SiC), se declaró en quiebra esta semana, lo que marca un cambio significativo en el panorama global de semiconductores de SiC. La compañía...Leer más -
Análisis exhaustivo de la formación de tensiones en cuarzo fundido: causas, mecanismos y efectos
1. Estrés térmico durante el enfriamiento (causa principal). El cuarzo fundido genera estrés en condiciones de temperatura no uniformes. A cualquier temperatura, la estructura atómica del cuarzo fundido alcanza una configuración espacial relativamente óptima. A medida que la temperatura cambia, la esp...Leer más