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LiTaO3 Wafer PIC: guía de ondas de tantalato de litio sobre aislante de baja pérdida para fotónica no lineal en chip
Resumen: Hemos desarrollado una guía de ondas de tantalato de litio basada en un aislante de 1550 nm con una pérdida de 0,28 dB/cm y un factor de calidad del resonador de anillo de 1,1 millones. Se ha estudiado la aplicación de la no linealidad χ(3) en fotónica no lineal. Las ventajas del niobato de litio...Leer más -
XKH-Intercambio de conocimientos: ¿Qué es la tecnología de corte en cubitos de obleas?
La tecnología de corte en cubitos de obleas, como paso crítico en el proceso de fabricación de semiconductores, está directamente relacionada con el rendimiento, el rendimiento y los costos de producción del chip. #01 Antecedentes y significado del corte en cubitos de obleas 1.1 Definición de corte en cubitos de obleas Corte en cubitos de obleas (también conocido como scri...Leer más -
Tantalato de litio de película fina (LTOI): ¿el próximo material estrella para moduladores de alta velocidad?
El material de tantalato de litio de película delgada (LTOI) está surgiendo como una nueva fuerza importante en el campo de la óptica integrada. Este año se han publicado varios trabajos de alto nivel sobre moduladores LTOI, con obleas LTOI de alta calidad proporcionadas por el profesor Xin Ou del Shanghai Ins...Leer más -
Comprensión profunda del sistema SPC en la fabricación de obleas
SPC (Control estadístico de procesos) es una herramienta crucial en el proceso de fabricación de obleas, que se utiliza para monitorear, controlar y mejorar la estabilidad de varias etapas de la fabricación. 1. Descripción general del sistema SPC SPC es un método que utiliza sta...Leer más -
¿Por qué se realiza la epitaxia sobre un sustrato de oblea?
Hacer crecer una capa adicional de átomos de silicio sobre un sustrato de oblea de silicio tiene varias ventajas: en los procesos de silicio CMOS, el crecimiento epitaxial (EPI) en el sustrato de oblea es un paso crítico del proceso. 1 、 Mejora de la calidad del cristal ...Leer más -
Principios, procesos, métodos y equipos para la limpieza de obleas
La limpieza en húmedo (Wet Clean) es uno de los pasos críticos en los procesos de fabricación de semiconductores, cuyo objetivo es eliminar diversos contaminantes de la superficie de la oblea para garantizar que los pasos posteriores del proceso se puedan realizar sobre una superficie limpia. ...Leer más -
La relación entre los planos cristalinos y la orientación del cristal.
Los planos cristalinos y la orientación del cristal son dos conceptos centrales en cristalografía, estrechamente relacionados con la estructura cristalina en la tecnología de circuitos integrados basados en silicio. 1.Definición y propiedades de la orientación del cristal La orientación del cristal representa una dirección específica...Leer más -
¿Cuáles son las ventajas de los procesos Through Glass Via (TGV) y Through Silicon Via, TSV (TSV) sobre TGV?
Las ventajas de los procesos Through Glass Via (TGV) y Through Silicon Via (TSV) sobre TGV son principalmente: (1) excelentes características eléctricas de alta frecuencia. El material de vidrio es un material aislante, la constante dieléctrica es solo aproximadamente 1/3 de la del material de silicio y el factor de pérdida es 2-...Leer más -
Aplicaciones de sustratos de carburo de silicio conductores y semiaislados
El sustrato de carburo de silicio se divide en tipo semiaislante y tipo conductor. En la actualidad, la especificación principal de los productos de sustrato de carburo de silicio semiaislado es de 4 pulgadas. En el carburo de silicio conductor ma...Leer más -
¿Existen también diferencias en la aplicación de obleas de zafiro con diferentes orientaciones de cristal?
El zafiro es un monocristal de alúmina, pertenece al sistema cristalino tripartito, de estructura hexagonal, su estructura cristalina está compuesta por tres átomos de oxígeno y dos átomos de aluminio en tipo de enlace covalente, dispuestos muy estrechamente, con una fuerte cadena de enlace y energía reticular, mientras que su cristal inte...Leer más -
¿Cuál es la diferencia entre sustrato conductor de SiC y sustrato semiaislado?
El dispositivo de carburo de silicio SiC se refiere al dispositivo hecho de carburo de silicio como materia prima. Según las diferentes propiedades de resistencia, se divide en dispositivos de potencia de carburo de silicio conductores y dispositivos de RF de carburo de silicio semiaislado. Formas principales del dispositivo y...Leer más -
Un artículo te lleva a un maestro del TGV
¿Qué es el TGV? TGV, (Through-Glass via), una tecnología que crea orificios pasantes en un sustrato de vidrio. En términos simples, TGV es un edificio de gran altura que perfora, llena y conecta hacia arriba y hacia abajo el vidrio para construir circuitos integrados en el vidrio. Florida...Leer más